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GF放弃7nm及后续制程研发:尖端工艺太烧钱,不如继续沉迷14nm【ag旗舰厅】
时间:2021-07-16 来源:ag旗舰厅 浏览量 22859 次
本文摘要:的双曲馀弦值。

的双曲馀弦值。的双曲馀弦值。为了使该部门能够维持和扩大业务合作,GF将其分解为独立的国家部门,需要与其他晶片工厂合作。

GF命名为14LPP的14nm生产技术最初是为移动SoC和其他芯片设计的,多达13个金属层和9T库。之后,GF根据14LPP技术设计了2种变体,其中14HP生产技术专业开发了IBM,以晶体管密度为代价交换条件高的性能,多达17个金属层和12T库,12LP生产技术也可用于AMD步CPU、车用芯片等其他领域,13个金属层和7.5T库GF将在未来的14nm节点基础上获得更普遍的技术,目前已经证实其未来FinFET技术的主要市场是射频芯片和嵌入式存储芯片等低功耗领域。GF利用7nm生产技术的研究开发经验,优化14/12nm生产技术,获得强化性能和更高的晶体管密度(降低成本),但现在GaryPatton不想泄露实际目标。

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据(公共编号:)介绍,现有的射频解决方案仍然用于非常领先的技术生产,如果GF能够顺利地将RF功能构基于FinFET的芯片,比现有的射频解决方案具有明显的优势。另外,除了通常的射频功能外,GF还计划在芯片中添加毫米波无线功能,将FinFET技术作为嵌入式存储芯片的生产也是世界上第一次。目前,FinFET技术使用的射频芯片和嵌入式存储芯片仍处于探索阶段,GF仍在重组新的研发团队,这些项目将于2020年实施最慢,并于2021年转入大规模批量生产阶段,但从2019年到2020年,AMD不会减少对14/12nm工艺的需求量,这似乎会增加GF的收益和利润。

除了开发基于FinFET技术的专业生产技术外,GF还将投资基于FDX品牌的FD-SOI平台,如22FDX和12FDX。GaryPatton没有提前发布FD-SOI生产技术的新版本,但具体来说FDX对GF仍然是最重要的,因为GF和三星是唯一能够获得该技术的晶元代工厂。

购买并安装在Fab8晶圆工厂的2台ASMLTwinscanNXEUV雕刻机,GF没有任何要求,GF希望通过咨询ASML来寻求未来的用途。理论上,GF可以利用它们加快原型制作,但由于它们必须类似于处理,如果它们不能被用作大规模批量生产,这两个叔叔不是一个好主意。总结以来,GF、三星、台积电都是晶圆代工厂享先进技术的三辆马车,随着GF的解散,三星和台积电成为唯一的自由选择。

对GF来说,这有利有弊。Gartner的调查结果显示,到2022年为止,12nm和更先进的设备技术生产的芯片也将获得半导体行业的大部分收益。通过解散前沿技术领域的竞争,GF可以为特定客户定制专业的生产技术,更好地防止与三星和台积电竞争,降低研发成本,延长EUV工厂建设时间。

GF离开前沿技术领域很遗憾,但GF在与三星和台积电的比赛中显示出弱点,管理层不愿意承担风险。因此,发展获得专业生产技术可能是GF更好,也可能是唯一的自由选择。

GF如何开发和管理新的生产技术,能否招募足够的新业务订单空缺AMD爱,Fab8的生产能力空虚,还需要仔细观察时间。附件:GF新闻稿涉及文章:详细了解7nm工艺,看半导体巨头如何为摩尔定律延寿原创文章,允许禁止发布。下一篇文章发表了注意事项。


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